Корпус для микроэлектронных механических систем ИДЯУ.301176.022
Сопротивление токоведущих проводников Rпр, Ом, не более
0,2
Сопротивление изоляции Rиз, Ом, не менее
109 при Uпр = 100 В
Диэлектрическая проницаемость έ, не более
10,3 на f = 10 ГГц
Тангенс угла потерь tg δ, не более
1,5·10-3 на f = 10 ГГц
Температурный коэффициент линейного расширения, °С -1
[при t = (20 ÷ 900) °С]
6,0·10-6
Теплопроводность, Вт/м∙K
13,4
Диапазон рабочих температур, °С
от – 60 до +155
Диапазон рабочих давлений, Па
0,67·103÷ 2,92·105
Габаритные размеры, длина × ширина × высота, мм
5 х 5 х 1
Размеры монтажной площадки под кристалл, мм
2,5 х 2,5
Глубина монтажного колодца, мм
0,25
Количество контактных площадок
4
Количество выводных площадок
4
Финишное покрытие токопроводящих элементов и металлизированных поверхностей
Н3 Зл3
Метод герметизации
пайка или клей
Масса с крышкой, г не более
0,08
Электрическое соединение
№ контактной площадки
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5
|
№ выводной площадки
|
А
|
Г
|
В
|
Б
|
-
|
Другие соединения
|
Ободок электрически не соединен
|
Показать больше технических данных
Скрыть
Загрузки
Материалы для скачивания