Корпус для интегральных микросхем ИДЯУ.301176.008 – 003
Сопротивление токоведущих проводников Rпр, Ом, не более
0,2
Сопротивление изоляции Rиз, Ом, не менее
109 при Uпр = 100 В
Диэлектрическая проницаемость έ, не более
10,3 на f=10 ГГц
Тангенс угла потерь tg δ, не более
1,5∙10-3 на f=10 ГГц
Температурный коэффициент линейного расширения, °С -1
[при t = (20 ÷ 900) °С]
6,0·10-6
Теплопроводность, Вт/м∙K
13,4
Диапазон рабочих температур, °С
от – 60 до +155
Диапазон рабочих давлений, Па
0,67·103 ÷ 2,92·105
Габаритные размеры, длина × ширина × высота, мм
8,7х6,7х1,7
Размеры монтажного окна, мм
6,8x5,10
Размеры монтажной площадки, мм
6,8x3,6
Количество контактных площадок
10
Количество выводных площадок
14
Финишное покрытие токопроводящих элементов и металлизированных поверхностей
Н3 Зл3
Метод герметизации
Шовная контактная сварка
Масса с крышкой, г не более
0,30
Электрическое соединение
№ контактной площадки
|
а
|
б
|
в
|
г
|
д
|
е
|
ж
|
з
|
и
|
к
|
№ выводной площадки
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5
|
8
|
9
|
10
|
11
|
12
|
Другие соединения
|
6-7-13-14-л-м
|
Показать больше технических данных
Скрыть
Загрузки
Материалы для скачивания